1064nm Si PIN photodiode

ماډل: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

لنډ معلومات:

دا د Si PIN فوتوډیډ دی چې د برعکس تعصب لاندې کار کوي او له UV څخه تر NIR پورې لوړ حساسیت چمتو کوي.د لوړ غبرګون څپې اوږدوالی 980nm دی.غبرګون: 0.3A/W په 1064 nm کې.

نرخ ترلاسه کړئ ډاونلوډ کړئ

تخنیکي پیرامیټر

د محصول ټګ

برخی

مخکینۍ خوا روښانه جوړښت
ټیټ تیاره جریان
لوړ غبرګون
لوړ اعتبار

غوښتنلیکونه

د نوری فایبر ارتباط، سینسنگ او رینج
د UV څخه NIR ته نظری کشف
ګړندی نظری - نبض کشف
د صنعت لپاره د کنټرول سیسټمونه

د فوتو الیکټریک پیرامیټر (@Ta = 25℃)

توکي #	د بسته بندۍ کټګورۍ	د فوتو حساس سطح قطر (mm)	د سپیکٹرل غبرګون رینج (nm)	د لوړ غبرګون څپې اوږدوالی (nm)	مسؤلیت (A/W) λ=1064nm	د پورته کیدو وخت λ=1064nm V_R= 40V R_L=50Ω(ns)	تیاره جریان V_R= 40V (nA)	د جنکشن ظرفیت V_R= 40V f=1MHz (pF)	د ولتاژ ماتول (وی)
GT102Ф0.2	کواکسیال ډول II,5501,TO-46 د پلګ ډول	Ф0.2	۴ ـ ۱۱۰۰	۹۸۰	0.3	10	0.5	0.5	100
GT102Ф0.5		Ф0.5				10	۱.۰	0.8
GT102F1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102F2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	۵.۰
GT102F4	TO-8	Ф4.0				20	۵.۰	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70